东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
【慧聪通信网】2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。
与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3]，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance（N）这两种类型的表面贴装封装。
与此同时，东芝还提供各类工具，为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型，现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝将进一步扩大其MOSFET产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。
Ø 应用：
- 通信设备电源
- 开关电源（高效率DC-DC转换器等）
Ø 特性：
- 优异的低损耗特性（在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡）
- 卓越的导通电阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V
- 高额定结温：Tch（最大值）＝175℃
（除非另有说明，@Ta＝25℃）
器件型号 | ||||
绝对最大 额定值 | 漏源电压VDSS（V） | 150 | ||
漏极电流（直流） ID（A） | @Tc＝25℃ | 64 | ||
结温Tch（℃） | 175 | |||
电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON)最大值（mΩ） | @VGS＝10V | 9.0 | |
@VGS＝8V | 11 | |||
总栅电荷（栅极-源极＋栅极-漏极） Qg典型值（nC） | 44 | |||
栅极开关电荷Qsw典型值（nC） | 11.7 | |||
输出电荷Qoss典型值（nC） | 87 | |||
输入电容Ciss典型值（pF） | 3500 | |||
封装 | 名称 | SOP Advance | SOP Advance（N） | |
尺寸典型值（mm） | 5.0×6.0 | 4.9×6.1 | ||
库存查询与购买 | ||||
Ø 主要规格：
注：
[1] 截至2022年3月的东芝调查。
[2] 栅极开关电荷和输出电荷。
[3] 与现有产品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，该产品将漏源导通电阻×栅开关电荷提高了大约20%，漏源导通电阻×输出电荷提高了大约28%。
